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Strain-engineered MOSFETs /

"This book brings together new developments in the area of spin-engineered MOSFETs using high-mobility substrates such as SIGe, strained-Si, germanium-on-insulator, and III-V semiconductors. The authors cover the materials aspects, principles, design, fabrication, and applications of advanced d...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Maiti, C. K.
Otros Autores: Maiti, T. K.
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Boca Raton, FL : CRC Press, ©2013.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo (Requiere registro previo con correo institucional)