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CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies Process-Aware SRAM Design and Test /

As technology scales into nano-meter region, design and test of Static Random Access Memories (SRAMs) becomes a highly complex task. Process disturbances and various defect mechanisms contribute to the increasing number of unstable SRAM cells with parametric sensitivity. Growing sizes of SRAM arrays...

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Détails bibliographiques
Cote:Libro Electrónico
Auteurs principaux: Pavlov, Andrei (Auteur), Sachdev, Manoj (Auteur)
Collectivité auteur: SpringerLink (Online service)
Format: Électronique eBook
Langue:Inglés
Publié: Dordrecht : Springer Netherlands : Imprint: Springer, 2008.
Édition:1st ed. 2008.
Collection:Frontiers in Electronic Testing ; 40
Sujets:
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