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Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors /

This informative, new resource presents the first comprehensive treatment of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs). It offers you a complete, from-the-ground-up understanding of SiGe HBT devices and technology, from a very broad perspective. The book covers motivation, his...

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Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Cressler, John D.
Otros Autores: Niu, Guofu
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Boston, MA : Artech House, ©2003.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo

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