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Gan-based Materials And Devices : Growth, Fabrication, Characterization And Performance.

The unique materials properties of GaN-based semiconductors havestimulated a great deal of interest in research and developmentregarding nitride materials growth and optoelectronic andnitride-based electronic devices. High electron mobility andsaturation velocity, high sheet carrier concentration at...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Shur, Michael
Otros Autores: Davis, Robert F. (Robert Foster), 1942-
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Singapore : World Scientific, 2004.
Edición:33th ed.
Colección:Selected topics in electronics and systems ; v. 33.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo