Cargando…

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor fil...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Sverdlov, Viktor (Autor)
Autor Corporativo: SpringerLink (Online service)
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Vienna : Springer Vienna : Imprint: Springer, 2011.
Edición:1st ed. 2011.
Colección:Computational Microelectronics
Temas:
Acceso en línea:Texto Completo

Internet

Texto Completo

Items no disponibles

Detalle de Existencias desde