Fabrication of Porous Gallium Nitride by Photoelectrochemical Etching Method.

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Détails bibliographiques
Cote:Libro Electrónico
Auteur principal: Cheah, Sook Fong
Autres auteurs: Ng, Sha Shiong
Format: Électronique eBook
Langue:Inglés
Publié: Gelugor : Penerbit USM, 2017.
Sujets:
Silicon carbide.
Accès en ligne:Texto completo
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Fabrication of Porous Gallium Nitride by Photoelectrochemical Etching Method.
par Cheah, Sook Fong
Publié 2017
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