Systemintegration : vom transistor zur grossintegrierten schaltung /

Systemintegration : Vom Transistor zur großintegrierten Schaltung.

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Hoffmann, Kurt
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Alemán
Publicado: Munich, Germany : Oldenbourg Verlag, 2011.
Edición:3., korrigierte und erweiterte Auflage.
Temas:
Semiconductors.
Transistors.
Very high speed integrated circuits.
Semi-conducteurs.
Circuits intégrés à très grande vitesse.
semiconductor.
transistors.
TECHNOLOGY & ENGINEERING > Mechanical.
Semiconductors
Transistors
Very high speed integrated circuits
Acceso en línea:Texto completo

MARC

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505 0 |a Inhaltsverzeichnis; Vorwort; Zum Inhalt des Buches; Formelzeichen und Symbole; Umrechnungsfaktoren und Konstanten; Wichtige Beziehungen; 1 Grundlagen der Halbleiterphysik; 1.1 Theorie des Bändermodells; 1.2 Dotierte Halbleiter; 1.3 Gleichungen für den Halbleiter im Gleichgewichtszustand; 1.3.1 Fermi-Verteilungsfunktion; 1.3.2 Ladungsträgerkonzentration im Gleichgewichtszustand; 1.3.3 Das Dichteprodukt im Gleichgewichtszustand; 1.3.4 Elektronenenergie, Spannung und elektrische Feldstärke; 1.4 Ladungsträgertransport; 1.4.1 Driftgeschwindigkeit; 1.4.2 Driftstrom; 1.4.3 Diffusionsstrom. 
505 8 |a 1.4.4 Kontinuitätsgleichung1.5 Störungen des thermodynamischen Gleichgewichts; 1.6 Übungen; 1.7 Literatur; 2 Metallurgischer pn-Übergang; 2.1 Inhomogener n-Typ-Halbleiter; 2.2 Der pn-Übergang im Gleichgewichtszustand; 2.3 Der pn-Übergang bei Anlegen einer Spannung; 2.3.1 Das Dichteprodukt bei Abweichungen vom Gleichgewichtszustand; 2.3.2 Stromspannungsbeziehung; 2.3.3 Abweichungen von der Stromspannungsbeziehung; 2.3.4 Spannungsbezugspunkt; 2.4 Kapazitätsverhalten des pn-Übergangs; 2.4.1 Sperrschichtkapazität; 2.4.2 Diffusionskapazität; 2.5 Schaltverhalten des pn-Übergangs. 
505 8 |a 2.6 Durchbruchverhalten2.7 Modellierung des pn-Übergangs; 2.7.1 Diodenmodell für CAD-Anwendungen; 2.7.2 Diodenmodell für überschlägige statische Berechnungen; 2.7.3 Diodenmodell für überschlägige Kleinsignalberechnungen; 2.8 Übungen; 2.9 Literatur; 3 Bipolarer Transistor; 3.1 Herstellung einer Bipolarschaltung; 3.2 Wirkungsweise des bipolaren Transistors; 3.2.1 Stromspannungsbeziehung; 3.2.2 Transistor im inversen Betrieb; 3.2.3 Spannungssättigung; 3.2.4 Temperaturverhalten; 3.2.5 Durchbruchverhalten; 3.3 Effekte zweiter Ordnung; 3.3.1 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Kollektorstrom. 
505 8 |a 3.3.2 Basisweitenmodulation3.3.3 Emitterrandverdrängung; 3.4 Abweichende Transistorstrukturen; 3.5 Modellierung des bipolaren Transistors; 3.5.1 Transistormodell für CAD-Anwendungen; 3.5.2 Transistormodell für überschlägige statische Berechnungen; 3.5.3 Transistormodell für überschlägige Kleinsignalberechnungen; 3.5.4 Bestimmung der Transitzeit; 3.6 Übungen; 3.7 Literatur; 4 Feldeffekttransistor; 4.1 Herstellung einer CMOS-Schaltung; 4.2 MOS-Struktur; 4.2.1 Charakteristik der MOS-Struktur; 4.2.2 Kapazitätsverhalten der MOS-Struktur; 4.2.3 Flachbandspannung; 4.3 Gleichungen der MOS-Struktur. 
505 8 |a 4.3.1 Ladungen in der MOS-Struktur4.3.2 Oberflächenspannung bei starker Inversion; 4.3.3 Einsatzspannung und Substratsteuereffekt; 4.4 Wirkungsweise des MOS-Transistors; 4.4.1 Transistorgleichungen bei starker Inversion; 4.4.2 Genauere Transistorgleichungen bei starker Inversion; 4.4.3 Transistorgleichungen bei schwacher Inversion; 4.4.4 Temperaturverhalten des MOS-Transistors; 4.5 Effekte zweiter Ordnung; 4.5.1 Beweglichkeitsdegradation; 4.5.2 Kanallängenmodulation; 4.5.3 Kurzkanaleffekte; 4.5.4 Heiße Ladungsträger; 4.5.5 Gateinduzierter Drainleckstrom. 
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