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|a Wachstum von nicht- und semipolaren InAIGaN-Heterostrukturen für hocheffiziente Lichtemitter.
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|a Inhaltsverzeichnis; Eigenschaften von nicht- und semipolaren GaNSchichten; Experimentelle Methoden; Heteroepitaktische Abscheidung von nichtpolarenGaN-Schichten; Laterales epitaktisches U ̈berwachsen (ELOG) zurDefektreduktion; Wachstum von LED- und Laserstrukturen aufhomoepitaktischen GaN Substraten; Zusammenfassung und Ausblick; Ver ̈offentlichungen; Literaturverzeichnis; Dank.
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|a Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
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