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Festk�orper Probleme VIII : in Referaten des Fachausschusses "Halbleiter" der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin 1968 : zugleich Hauptvortr�age des Fachausschusses "Tiefe Temperaturen" des Fachausschusses "Thermodynamik und statistiche Mechanik" und der Arbeitsgemeinschaft "Metallphysik" /
Festk�orper Probleme VIII reviews the status of radiation damage in semiconducting materials and components. This book examines the problems connected to the mechanism of production of defects by bombardment with energetic particles, particularly the displacement energy. Comprised of nine...
| Clasificación: | Libro Electrónico |
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| Otros Autores: | |
| Formato: | Electrónico eBook |
| Idioma: | Alemán Inglés |
| Publicado: |
[Oxford] :
Pergamon Press,
1968.
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| Temas: | |
| Acceso en línea: | Texto completo |
Tabla de Contenidos:
- Cover; Festk�orper Problem VIII; Copyright Page; Vorwort; Table of Contents; Chapter 1. Strahlensch�aden in Halbleitern und Halbleiterbauelementen; Summary; 1. Einf�uhrung; 2. Zum Erzeugungsmechanismus von Gitterfehlstellen; 3. Die Mikrostruktur der Strahlungsdefekte; 4. Elektrische und optische Untersuchungen an bestrahlten Halbleitern; 5. Strahlensch�adigung von Halbleiterbauelementen; 6. Tempereffekte an bestrahIten Halbleitern; Literatur; Chapter 2. Kristallzucht aus der Gasphase; Summary; 1. Einleitung; 2. Allgemeines zur Kristallzucht; 3. Bildung fester Phasen aus Gasen.
- 4. Kristallzucht aus gasf�ormigen N�ahrphasen5. Schlu�bemerkungen; Literatur; Chapter 3. Die Physik des photographischen Prozesses; Summary: Physical problems of the photographic process; I. Einleitung; II. Die �Ubertragungskette; III. Die Lichtstreuung in photographischen Schichten; IV. Zusammenhang zwischen Quantenempfindlichkeit der Halogensilberkristalle und Schw�arzung der photographischen Schicht; V. Kristallstruktur photographischer Emulsionen; VI. Bindungsverh�altnisse im Halogensilberkristall; VII. Elektrische Leitf�ahigkeit des Halogensilbers.
- VIII. Die Beteiligung von beweglichen (Photo- ) Elektronen und (Zwischengitter- )Silberionen am photographischen Elementarproze�IX. Lichtabsorption, B�andermodell und Elektronenfallen; X. Randschichtprobleme am Kontakt AgBr/w�assrige L�osung; XI. Die Chemische Reifung; XII. Spektrale Sensibilisierung; XIII. Solarisation; XIV. Reziprozit�atsverhalten; XV. Doppelbelichtungseffekte; XVI. Mechanismus der photographischen Entwicklung; Literatur; Chapter 4. Zur Physik der Elektrophotographie; 1. Einleitung; 2. Aufladung; 3. Entladung durch Belichtung; 4. Entwicklungscharakteristik.
- 5. Farbelektrophotographie6. Ausblick; Literatur; Chapter 5. Der photokapazitive Effekt; 1. Einleitung; 2. Ursachen fur die photokapazitiven Effekte; 3. Kriterien fur die Unterscheidung der Effekte; 4. Historische Entwicklung der Arbeiten �uber photokapazitive Effekte; 5. Neuere Untersuchungen an Il/VI-Photohalbleitern; 6. Untersuchungen an anderen Substanzen; 7. Photokapazitive Effekte in der Elektronik; 8. Zusammenfassung; Literatur; Chapter 6. Neue Ergebnisse �uber Elektronentraps und "Tunnel-Nachleuchten"" in ZnS; Allgemeine Vorbemerkungen �uber ZnS-Phosphore.
- Bisherige Ergebnisse �uber Traps in Phosphoren der ZnS-GruppeNeue Ergebnisse bei tiefer Temperatur (> 4,2 � K); Zeitliche Abklingung des Nachleuchtens bei festgehaltener Temperatur; Abh�angigkeit der Einfangwahrscheinlichkeit durch Traps von der Temperatur; Beziehung des "Tunnel-Nachleuchtens"" zum "Donor-Acceptor""-Modell der Lumineszenz; Literatur; Chapter 7. Ergebnisse und M�angel der heutigen Theorie der Supraleiter 2. Art; 1. Einleitung; 2. Grundlagen der Theorie der Supraleiter 2. Art; 3. Vorhandene Ergebnisse; 4. M�oglichkeiten f�ur weitere Ergebnisse; Literatur.