Cargando…

MARC

LEADER 00000cam a2200000 4500
001 SCIDIR_ocn602266954
003 OCoLC
005 20231117033039.0
006 m o d
007 cr bn||||||abp
007 cr bn||||||ada
008 100406s1970 nyua ob 001 0 eng d
040 |a OCLCE  |b eng  |e pn  |c OCLCE  |d OCLCQ  |d OPELS  |d E7B  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d N$T  |d IDEBK  |d OCLCF  |d OCLCO  |d YDXCP  |d OCLCQ  |d LEAUB  |d LUN  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d S2H  |d OCLCO  |d COM  |d OCLCO  |d OCL  |d OCLCQ  |d OCLCO 
019 |a 297310352  |a 842936481 
020 |a 9780124808508  |q (electronic bk.) 
020 |a 0124808506  |q (electronic bk.) 
020 |a 9780323157216  |q (electronic bk.) 
020 |a 0323157211  |q (electronic bk.) 
035 |a (OCoLC)602266954  |z (OCoLC)297310352  |z (OCoLC)842936481 
042 |a dlr 
050 4 |a TK7871.85  |b .M38 
072 7 |a TEC  |x 008090  |2 bisacsh 
072 7 |a TEC  |x 008100  |2 bisacsh 
082 0 4 |a 621.381/52  |2 18 
084 |a 33.72  |2 bcl 
084 |a 33.79  |2 bcl 
084 |a UP 3000  |2 rvk 
100 1 |a Mayer, James W.,  |d 1930- 
245 1 0 |a Ion implantation in semiconductors, silicon and germanium  |c [by] James W. Mayer, Lennart Eriksson and John A. Davies. 
260 |a New York,  |b Academic Press,  |c 1970. 
300 |a 1 online resource (xiii, 280 pages)  |b illustrations 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
504 |a Includes bibliographical references. 
506 |3 Use copy  |f Restrictions unspecified  |2 star  |5 MiAaHDL 
533 |a Electronic reproduction.  |b [Place of publication not identified] :  |c HathiTrust Digital Library,  |d 2010.  |5 MiAaHDL 
538 |a Master and use copy. Digital master created according to Benchmark for Faithful Digital Reproductions of Monographs and Serials, Version 1. Digital Library Federation, December 2002.  |u http://purl.oclc.org/DLF/benchrepro0212  |5 MiAaHDL 
583 1 |a digitized  |c 2010  |h HathiTrust Digital Library  |l committed to preserve  |2 pda  |5 MiAaHDL 
588 0 |a Print version record. 
650 0 |a Ion implantation. 
650 0 |a Semiconductors. 
650 0 |a Ion bombardment. 
650 2 |a Semiconductors  |0 (DNLM)D012666 
650 6 |a Semi-conducteurs.  |0 (CaQQLa)201-0318258 
650 6 |a Bombardement ionique.  |0 (CaQQLa)201-0004234 
650 6 |a Ions  |x Implantation.  |0 (CaQQLa)201-0072132 
650 7 |a semiconductor.  |2 aat  |0 (CStmoGRI)aat300015117 
650 7 |a TECHNOLOGY & ENGINEERING  |x Electronics  |x Semiconductors.  |2 bisacsh 
650 7 |a TECHNOLOGY & ENGINEERING  |x Electronics  |x Solid State.  |2 bisacsh 
650 7 |a Ion bombardment  |2 fast  |0 (OCoLC)fst00978567 
650 7 |a Ion implantation  |2 fast  |0 (OCoLC)fst00978590 
650 7 |a Semiconductors  |2 fast  |0 (OCoLC)fst01112198 
650 7 |a Halbleiter  |2 gnd  |0 (DE-588)4022993-2 
650 7 |a Ionenimplantation  |2 gnd  |0 (DE-588)4027606-5 
650 1 7 |a Halfgeleiders.  |2 gtt 
650 1 7 |a Ionenimplantatie.  |2 gtt 
650 1 7 |a Silicium.  |2 gtt 
650 1 7 |a Germanium.  |2 gtt 
700 1 |a Eriksson, Lennart,  |d 1938-  |e author. 
700 1 |a Davies, John Arthur,  |d 1927-  |e author. 
776 0 8 |i Print version:  |a Mayer, James W., 1930-  |t Ion implantation in semiconductors, silicon and germanium.  |d New York, Academic Press, 1970  |w (DLC) 75107563  |w (OCoLC)92308 
856 4 0 |u https://sciencedirect.uam.elogim.com/science/book/9780124808508  |z Texto completo