Cargando…

SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors /

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Yuan, J. S.
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: New York : Wiley, ©1999.
Colección:Wiley series in microwave and optical engineering.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo (Requiere registro previo con correo institucional)

MARC

LEADER 00000cam a2200000 a 4500
001 OR_ocn607128273
003 OCoLC
005 20231017213018.0
006 m o d
007 cr bn||||||abp
007 cr bn||||||ada
008 100414s1999 nyua obi 001 0 eng d
010 |a  98038194  
040 |a OCLCE  |b eng  |e pn  |c OCLCE  |d OCLCQ  |d OCLCA  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d OCLCF  |d UMI  |d DEBBG  |d OCLCQ  |d CEF  |d AU@  |d OCLCO  |d WYU  |d VT2  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d INARC  |d OCLCO 
019 |a 644666501  |a 872560476  |a 1044298138  |a 1056448162  |a 1058670210  |a 1060863545  |a 1065707259  |a 1073066225  |a 1083235635  |a 1097110879  |a 1103264755  |a 1104444229  |a 1129376430  |a 1153047601  |a 1392117561 
020 |z 0471197467  |q (cloth ;  |q alk. paper) 
020 |z 9780471197461  |q (cloth ;  |q alk. paper) 
029 1 |a DEBBG  |b BV042031561 
029 1 |a DEBSZ  |b 41417013X 
029 1 |a GBVCP  |b 882727591 
029 1 |a AU@  |b 000057226471 
035 |a (OCoLC)607128273  |z (OCoLC)644666501  |z (OCoLC)872560476  |z (OCoLC)1044298138  |z (OCoLC)1056448162  |z (OCoLC)1058670210  |z (OCoLC)1060863545  |z (OCoLC)1065707259  |z (OCoLC)1073066225  |z (OCoLC)1083235635  |z (OCoLC)1097110879  |z (OCoLC)1103264755  |z (OCoLC)1104444229  |z (OCoLC)1129376430  |z (OCoLC)1153047601  |z (OCoLC)1392117561 
037 |a CL0500000400  |b Safari Books Online 
042 |a dlr 
050 4 |a TK7871.96.B55  |b Y83 1999 
082 0 4 |a 621.3815/28  |2 21 
049 |a UAMI 
100 1 |a Yuan, J. S. 
245 1 0 |a SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors /  |c Jiann S. Yuan. 
260 |a New York :  |b Wiley,  |c ©1999. 
300 |a 1 online resource (xvii, 463 pages) :  |b illustrations 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
490 1 |a Wiley series in microwave and optical engineering 
504 |a Includes bibliographical references and index. 
506 |3 Use copy  |f Restrictions unspecified  |2 star  |5 MiAaHDL 
533 |a Electronic reproduction.  |b [Place of publication not identified] :  |c HathiTrust Digital Library,  |d 2010.  |5 MiAaHDL 
538 |a Master and use copy. Digital master created according to Benchmark for Faithful Digital Reproductions of Monographs and Serials, Version 1. Digital Library Federation, December 2002.  |u http://purl.oclc.org/DLF/benchrepro0212  |5 MiAaHDL 
583 1 |a digitized  |c 2010  |h HathiTrust Digital Library  |l committed to preserve  |2 pda  |5 MiAaHDL 
588 0 |a Print version record. 
590 |a O'Reilly  |b O'Reilly Online Learning: Academic/Public Library Edition 
650 0 |a Bipolar transistors. 
650 0 |a Junction transistors. 
650 6 |a Transistors bipolaires. 
650 6 |a Transistors à jonctions. 
650 7 |a Bipolar transistors  |2 fast 
650 7 |a Junction transistors  |2 fast 
650 7 |a Bipolartransistor  |2 gnd 
650 7 |a Transistor  |2 gnd 
776 0 8 |i Print version:  |a Yuan, Jiann S., 1959-  |t SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors.  |d New York : Wiley, ©1999  |w (DLC) 98038194  |w (OCoLC)39614803 
830 0 |a Wiley series in microwave and optical engineering. 
856 4 0 |u https://learning.oreilly.com/library/view/~/9780471197461/?ar  |z Texto completo (Requiere registro previo con correo institucional) 
938 |a Internet Archive  |b INAR  |n sigegaasinpheter0000yuan 
994 |a 92  |b IZTAP