MARC

LEADER 00000cam a2200000Ii 4500
001 KNOVEL_ocn953997781
003 OCoLC
005 20231027140348.0
006 m o d
007 cr cnu---unuuu
008 160726s2016 enka ob 001 0 eng d
040 |a KNOVL  |b eng  |e rda  |e pn  |c KNOVL  |d OCLCO  |d OCLCF  |d REB  |d OCLCQ  |d CEF  |d RRP  |d WYU  |d CUV  |d UKAHL  |d MERUC  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d OCLCO 
020 |a 9781523102518  |q (electronic bk.) 
020 |a 1523102519  |q (electronic bk.) 
020 |z 9781849199971 
020 |z 1849199973 
020 |a 9781849199988  |q (electronic bk.) 
020 |a 1849199981  |q (electronic bk.) 
029 1 |a GBVCP  |b 870369229 
035 |a (OCoLC)953997781 
037 |b 00631721 
050 4 |a TK7871.99.M44 
082 0 4 |a 621.3/81  |2 23 
049 |a UAMI 
245 0 0 |a Nano-CMOS and post-CMOS electronics.  |p Devices and modelling /  |c edited by Saraju P. Mohanty, Ashok Srivastava. 
246 3 |a Nano-CMOS and post-CMOS electronics.  |n Volume 1,  |p Devices and modelling 
246 3 0 |a Devices and modelling 
264 1 |a London, United Kingdom :  |b The Institution of Engineering and Technology,  |c 2016. 
300 |a 1 online resource :  |b illustrations. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
490 1 |a Materials, circuits and devices series ;  |v 29 
588 |a Description based on print version record. 
504 |a Includes bibliographical references and index. 
520 8 |a Annotation  |b Over two volumes this work describes the modelling, design, and implementation of nano-scaled CMOS electronics, and the new generation of post-CMOS devices, at both the device and circuit levels. 
590 |a Knovel  |b ACADEMIC - Electronics & Semiconductors 
650 0 |a Metal oxide semiconductors, Complementary  |x Design and construction. 
650 7 |a Metal oxide semiconductors, Complementary  |x Design and construction  |2 fast 
650 7 |a capacitors.  |2 inspect 
650 7 |a carbon nanotubes.  |2 inspect 
650 7 |a CMOS logic circuits.  |2 inspect 
650 7 |a digital integrated circuits.  |2 inspect 
650 7 |a dislocation arrays.  |2 inspect 
650 7 |a field effect transistors.  |2 inspect 
650 7 |a gallium arsenide.  |2 inspect 
650 7 |a graphene devices.  |2 inspect 
650 7 |a hafnium compounds.  |2 inspect 
650 7 |a high-k dielectric thin films.  |2 inspect 
650 7 |a III-V semiconductors.  |2 inspect 
650 7 |a integrated circuit interconnections.  |2 inspect 
650 7 |a integrated circuit modelling.  |2 inspect 
650 7 |a integrated circuit reliability.  |2 inspect 
650 7 |a memristors.  |2 inspect 
650 7 |a MIM devices.  |2 inspect 
650 7 |a nanoelectronics.  |2 inspect 
650 7 |a neural chips.  |2 inspect 
650 7 |a statistical analysis.  |2 inspect 
650 7 |a system-on-chip.  |2 inspect 
650 7 |a thin film devices.  |2 inspect 
650 7 |a titanium compounds.  |2 inspect 
700 1 |a Mohanty, Saraju P.,  |e editor. 
700 1 |a Srivastava, Ashok  |c (College teacher),  |e editor. 
776 0 8 |i Print version:  |t Nano-CMOS and post-CMOS electronics. Devices and modelling.  |d London, United Kingdom : The Institution of Engineering and Technology, 2016  |z 9781849199971  |w (OCoLC)951611160 
830 0 |a Materials, circuits and devices series ;  |v 29. 
856 4 0 |u https://appknovel.uam.elogim.com/kn/resources/kpCFRTLV62/toc  |z Texto completo 
938 |a Askews and Holts Library Services  |b ASKH  |n AH29965239 
994 |a 92  |b IZTAP