Cargando…

MARC

LEADER 00000cam a2200000 a 4500
001 KNOVEL_ocm62110912
003 OCoLC
005 20231027140348.0
006 m o d
007 cr cnu||||||||
008 051019s1993 enka ob 001 0 eng c
040 |a BUF  |b eng  |e pn  |c BUF  |d OCLCQ  |d COO  |d OCLCQ  |d OCLCF  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d KNOVL  |d ZCU  |d OCLCQ  |d VT2  |d UAB  |d BUF  |d OCLCQ  |d CEF  |d RRP  |d AU@  |d WYU  |d YOU  |d OCLCQ  |d HS0  |d ERF  |d OCLCQ  |d MM9  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d OCL  |d OCLCQ  |d OCLCO 
019 |a 62204553  |a 961849736  |a 988618273  |a 999445502  |a 1057951104  |a 1058042146  |a 1066049305  |a 1136358470 
020 |a 0852968655  |q (Online version) 
020 |a 9780852968659  |q (Online version) 
020 |a 1591248264 
020 |a 9781591248262 
029 1 |a AU@  |b 000040124840 
029 1 |a GBVCP  |b 856584878 
029 1 |a NZ1  |b 10564286 
029 1 |a NZ1  |b 14231842 
029 1 |a NZ1  |b 15593892 
035 |a (OCoLC)62110912  |z (OCoLC)62204553  |z (OCoLC)961849736  |z (OCoLC)988618273  |z (OCoLC)999445502  |z (OCoLC)1057951104  |z (OCoLC)1058042146  |z (OCoLC)1066049305  |z (OCoLC)1136358470 
037 |b Knovel Corporation  |n http://www.knovel.com 
042 |a pcc 
050 4 |a QC611.8.G3  |b P76 1993b 
082 0 4 |a 537.6/223  |2 20 
084 |a JK 67  |2 blsrissc 
084 |a RL 61  |2 blsrissc 
049 |a UAMI 
245 0 0 |a Properties of lattice-matched and strained indium gallium arsenide /  |c edited by Pallab Bhattacharya. 
260 |a London :  |b INSPEC, Institution of Electrical Engineers,  |c ©1993. 
300 |a 1 online resource (xxi, 317 pages) :  |b illustrations. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
490 1 |a EMIS datareviews series ;  |v no. 8 
504 |a Includes bibliographical references and index. 
588 0 |a Print version record. 
546 |a English. 
590 |a Knovel  |b ACADEMIC - Electronics & Semiconductors 
650 0 |a Gallium arsenide semiconductors. 
650 0 |a Indium alloys. 
650 0 |a Semiconductors  |x Electric properties. 
650 0 |a Gallium arsenide. 
650 6 |a Arséniure de gallium. 
650 6 |a Indium  |x Alliages. 
650 7 |a Gallium arsenide  |2 fast 
650 7 |a Gallium arsenide semiconductors  |2 fast 
650 7 |a Indium alloys  |2 fast 
650 7 |a Semiconductors  |x Electric properties  |2 fast 
650 7 |a Physics.  |2 hilcc 
650 7 |a Physical Sciences & Mathematics.  |2 hilcc 
650 7 |a Electricity & Magnetism.  |2 hilcc 
653 0 |a Semiconductors  |a Electronic properties 
700 1 |a Bhattacharya, Pallab. 
710 2 |a INSPEC (Information service) 
776 1 |t Properties of lattice-matched and strained indium gallium arsenide.  |d London : INSPEC, Institution of Electrical Engineers, ©1993  |z 0852968655  |w (DLC) 94172690  |w (OCoLC)29674706 
830 0 |a EMIS datareviews series ;  |v no. 8. 
856 4 0 |u https://appknovel.uam.elogim.com/kn/resources/kpPLMSIGA1/toc  |z Texto completo 
994 |a 92  |b IZTAP