Cargando…

Radiation defect engineering /

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modifi...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Otros Autores: Abrosimova, Vera
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: New Jersey ; London : World Scientific, ©2005.
Colección:Selected topics in electronics and systems ; v. 37.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo

MARC

LEADER 00000cam a2200000Ma 4500
001 EBSCO_ocn614991499
003 OCoLC
005 20231017213018.0
006 m o d
007 cr cn|||||||||
008 060207s2005 njua ob 001 0 eng d
010 |a  2006283955 
040 |a CaPaEBR  |b eng  |e pn  |c ADU  |d E7B  |d OCLCQ  |d N$T  |d YDXCP  |d SFB  |d IDEBK  |d OCLCQ  |d FVL  |d OCLCQ  |d MERUC  |d OCLCQ  |d OCLCF  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d AZK  |d LOA  |d JBG  |d COCUF  |d AGLDB  |d PIFBR  |d OTZ  |d OCLCQ  |d STF  |d WRM  |d OCLCQ  |d VTS  |d OCLCQ  |d INT  |d VT2  |d OCLCQ  |d WYU  |d OCLCQ  |d M8D  |d UKCRE  |d VLY  |d TUHNV  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d OCLCO 
015 |a GBA622212  |2 bnb 
016 7 |a 013396641  |2 Uk 
019 |a 77718715  |a 144224606  |a 243607614  |a 648234781  |a 722569136  |a 728037888  |a 888794595  |a 961534401  |a 962660775  |a 966179427  |a 992026605  |a 994954798  |a 1037716175  |a 1038570680  |a 1055396295  |a 1062905872  |a 1062926427  |a 1081230192  |a 1153497335  |a 1162567944  |a 1228599331  |a 1241932660  |a 1243587073  |a 1259242575 
020 |a 9812703195  |q (electronic bk.) 
020 |a 9789812703194  |q (electronic bk.) 
020 |a 9789812565211 
020 |a 9812565213 
020 |z 9812565213 
020 |a 1281899178 
020 |a 9781281899170 
020 |a 9786611899172 
020 |a 6611899170 
029 1 |a AU@  |b 000051406404 
029 1 |a AU@  |b 000053248261 
029 1 |a DEBBG  |b BV043091676 
029 1 |a DEBSZ  |b 422238546 
029 1 |a GBVCP  |b 803168519 
029 1 |a NZ1  |b 14237479 
029 1 |a YDXCP  |b 2507578 
035 |a (OCoLC)614991499  |z (OCoLC)77718715  |z (OCoLC)144224606  |z (OCoLC)243607614  |z (OCoLC)648234781  |z (OCoLC)722569136  |z (OCoLC)728037888  |z (OCoLC)888794595  |z (OCoLC)961534401  |z (OCoLC)962660775  |z (OCoLC)966179427  |z (OCoLC)992026605  |z (OCoLC)994954798  |z (OCoLC)1037716175  |z (OCoLC)1038570680  |z (OCoLC)1055396295  |z (OCoLC)1062905872  |z (OCoLC)1062926427  |z (OCoLC)1081230192  |z (OCoLC)1153497335  |z (OCoLC)1162567944  |z (OCoLC)1228599331  |z (OCoLC)1241932660  |z (OCoLC)1243587073  |z (OCoLC)1259242575 
050 4 |a QC611.6.R3  |b K69 2005eb 
072 7 |a TEC  |x 008100  |2 bisacsh 
072 7 |a TEC  |x 008090  |2 bisacsh 
082 0 4 |a 621.38152  |2 22 
049 |a UAMI 
100 1 |a Kozlovskiĭ, V. V.  |q (Vitaliĭ Vasilʹevich) 
245 1 0 |a Radiation defect engineering /  |c Kozlovski Vitali, Abrosimova Vera. 
260 |a New Jersey ;  |a London :  |b World Scientific,  |c ©2005. 
300 |a 1 online resource (viii, 253 pages) :  |b illustrations. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
347 |a data file  |2 rda 
490 1 |a Selected topics in electronics and systems ;  |v v. 37 
504 |a Includes bibliographical references and index. 
588 0 |a Print version record. 
505 0 |a Preface; Contents; 1 Ion-S timulated Processes; 2 Transmutation Doping of Semiconductors by Charged Particles; 3 Doping of Semiconductors Using Radiation Defects; 4 Formation of Buried Porous and Damaged Layers; References; Index. 
520 |a The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials. 
546 |a English. 
590 |a eBooks on EBSCOhost  |b EBSCO eBook Subscription Academic Collection - Worldwide 
650 0 |a Semiconductor doping. 
650 0 |a Semiconductors  |x Effect of radiation on. 
650 6 |a Semi-conducteurs  |x Dopage. 
650 6 |a Semi-conducteurs  |x Effets du rayonnement sur. 
650 7 |a TECHNOLOGY & ENGINEERING  |x Electronics  |x Solid State.  |2 bisacsh 
650 7 |a TECHNOLOGY & ENGINEERING  |x Electronics  |x Semiconductors.  |2 bisacsh 
650 7 |a Semiconductor doping  |2 fast 
650 7 |a Semiconductors  |x Effect of radiation on  |2 fast 
700 1 |a Abrosimova, Vera. 
740 0 2 |a International journal of high speed electronics and systems. 
776 0 8 |i Print version:  |a Kozlovskiĭ, V.V. (Vitaliĭ Vasilʹevich).  |t Radiation defect engineering.  |d New Jersey ; London : World Scientific, ©2005  |z 9812565213  |w (DLC) 2006283955  |w (OCoLC)64096752 
830 0 |a Selected topics in electronics and systems ;  |v v. 37. 
856 4 0 |u https://ebsco.uam.elogim.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&AN=174688  |z Texto completo 
938 |a ebrary  |b EBRY  |n ebr10174109 
938 |a EBSCOhost  |b EBSC  |n 174688 
938 |a YBP Library Services  |b YANK  |n 2507578 
994 |a 92  |b IZTAP