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Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Zhytnytska, Rimma
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Alemán
Publicado: Göttingen : Cuvillier Verlag, 2021.
Colección:Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo
Tabla de Contenidos:
  • Intro
  • 1 Kapitel: Einführung
  • 1.1 Motivation
  • 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit
  • 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs
  • 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur
  • 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien
  • 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren
  • 3.1 Grundlagen des Designs
  • 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen
  • 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen
  • 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden
  • 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen
  • 4.2 Elektrische Charakterisierung
  • 5 Kapitel: Design für hohe Spannung
  • 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand
  • 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit
  • 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5
  • 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit
  • 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT
  • 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs
  • 6.3 Designstudie (ANSYS)
  • 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6
  • 7 Kapitel: LE-Transistoren
  • Design und Charakterisierung
  • 7.1 Optimiertes Transistordesign
  • 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren
  • 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7
  • 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick
  • 8.1 Zusammenfassung und Fazit
  • 8.2 Ausblick
  • Quellenverweis
  • Abbildungsverzeichnis
  • Tabellenverzeichnis