Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen
Clasificación: | Libro Electrónico |
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Autor principal: | |
Formato: | Electrónico eBook |
Idioma: | Alemán |
Publicado: |
Göttingen :
Cuvillier Verlag,
2021.
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Colección: | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
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Temas: | |
Acceso en línea: | Texto completo |
Tabla de Contenidos:
- Intro
- 1 Kapitel: Einführung
- 1.1 Motivation
- 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit
- 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs
- 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur
- 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien
- 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren
- 3.1 Grundlagen des Designs
- 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen
- 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen
- 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden
- 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen
- 4.2 Elektrische Charakterisierung
- 5 Kapitel: Design für hohe Spannung
- 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand
- 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit
- 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5
- 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit
- 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT
- 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs
- 6.3 Designstudie (ANSYS)
- 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6
- 7 Kapitel: LE-Transistoren
- Design und Charakterisierung
- 7.1 Optimiertes Transistordesign
- 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren
- 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7
- 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick
- 8.1 Zusammenfassung und Fazit
- 8.2 Ausblick
- Quellenverweis
- Abbildungsverzeichnis
- Tabellenverzeichnis