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|a Zhytnytska, Rimma.
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|a Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen
|h [electronic resource].
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|a Göttingen :
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|a 1 online resource (183 p.).
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|a Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik ;
|v v.65
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|a Description based upon print version of record.
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|a Intro -- 1 Kapitel: Einführung -- 1.1 Motivation -- 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit -- 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs -- 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur -- 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien -- 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren -- 3.1 Grundlagen des Designs -- 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen -- 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen -- 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden -- 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen
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| 505 |
8 |
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|a 4.2 Elektrische Charakterisierung -- 5 Kapitel: Design für hohe Spannung -- 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand -- 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit -- 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5 -- 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit -- 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT -- 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs -- 6.3 Designstudie (ANSYS) -- 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6 -- 7 Kapitel: LE-Transistoren -- Design und Charakterisierung -- 7.1 Optimiertes Transistordesign -- 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren
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| 505 |
8 |
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|a 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7 -- 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick -- 8.1 Zusammenfassung und Fazit -- 8.2 Ausblick -- Quellenverweis -- Abbildungsverzeichnis -- Tabellenverzeichnis
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| 590 |
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|a ProQuest Ebook Central
|b Ebook Central Academic Complete
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|a Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen (Text)
|1 https://id.oclc.org/worldcat/entity/E39PCXPKHKch7XFFH4K6HjJwwd
|4 https://id.oclc.org/worldcat/ontology/hasWork
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|i Print version:
|a Zhytnytska, Rimma
|t Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen
|d Göttingen : Cuvillier Verlag,c2021
|z 9783736974135
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|a Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
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|z Texto completo
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|a ProQuest Ebook Central
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|a YBP Library Services
|b YANK
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