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GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Luo, Peng
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Göttingen : Cuvillier Verlag, 2019.
Colección:Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo

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