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Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz.

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Nosaeva, Ksenia
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Göttingen : Cuvillier Verlag, 2016.
Colección:Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo
Tabla de Contenidos:
  • Acknowledgment; Zusammenfassung; Abstract; Contents; 1 Introduction; 2 Diamond substrate properties; 3 Thermal resistance of HBTs; 4 Electrical and thermal via connection through the diamond layer; 5 Full process integration and realization of diamond heat
  • sink InP HBT MMICs; 6 Summary; 7 Outlook; Publications; Appendix; Bibliography.