MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Chen, Jr-Tai (Autor)
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Colección:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; no. 1662.
Temas:
Semiconductors > Materials.
Epitaxy.
Semi-conducteurs > Matériaux.
Épitaxie.
Epitaxy
Semiconductors > Materials
Acceso en línea:Texto completo
Tabla de Contenidos:
  • Abstract
  • Populärvetenskaplig sammanfattning
  • Preface
  • Acknowledgement
  • Content
  • 1 History and challenges
  • 2 Properties of III-nitrides
  • 3 Fundamentals of GaN-based HEMT structures
  • 4 MOCVD growth of GaN-based HEMT structures
  • 5 Characterizations of GaN-based HEMT structures
  • References
  • Publications.

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