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MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
| Clasificación: | Libro Electrónico |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Formato: | Electrónico eBook |
| Idioma: | Inglés |
| Publicado: |
Linköping, Sweden :
Linköping University,
2015.
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| Colección: | Linköping studies in science and technology. Dissertations ;
no. 1662. |
| Temas: | |
| Acceso en línea: | Texto completo |