Cargando…

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Chen, Jr-Tai (Autor)
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Colección:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; no. 1662.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo

MARC

LEADER 00000cam a2200000 i 4500
001 EBOOKCENTRAL_ocn909902902
003 OCoLC
005 20240329122006.0
006 m o d
007 cr cn|||||||||
008 150506t20152015sw a ob 000 0 eng d
040 |a E7B  |b eng  |e rda  |e pn  |c E7B  |d EBLCP  |d OCLCF  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d COCUF  |d MOR  |d PIFAG  |d ZCU  |d MERUC  |d OCLCQ  |d U3W  |d ICG  |d CUY  |d LOA  |d STF  |d OCLCQ  |d VT2  |d OCLCQ  |d WYU  |d LVT  |d TKN  |d DKC  |d AU@  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d OCLCQ  |d OCLCO  |d OCLCL 
019 |a 961643822  |a 962616236 
020 |a 9789175190730  |q (e-book) 
020 |a 9175190737  |q (e-book) 
029 1 |a DEBBG  |b BV044055596 
035 |a (OCoLC)909902902  |z (OCoLC)961643822  |z (OCoLC)962616236 
050 4 |a TK7871.85  |b .C446 2015eb 
082 0 4 |a 621.38152  |2 23 
049 |a UAMI 
100 1 |a Chen, Jr-Tai,  |e author. 
245 1 0 |a MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /  |c Jr-Tai Chen. 
264 1 |a Linköping, Sweden :  |b Linköping University,  |c 2015. 
264 4 |c ©2015 
300 |a 1 online resource (81 pages) :  |b illustrations (some color) 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
490 1 |a Linköping Studies in Science and Technology Dissertations,  |x 0345-7524 ;  |v Number 1662 
504 |a Includes bibliographical references. 
588 0 |a Online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed May 5, 2015). 
505 0 |a Abstract -- Populärvetenskaplig sammanfattning -- Preface -- Acknowledgement -- Content -- 1 History and challenges -- 2 Properties of III-nitrides -- 3 Fundamentals of GaN-based HEMT structures -- 4 MOCVD growth of GaN-based HEMT structures -- 5 Characterizations of GaN-based HEMT structures -- References -- Publications. 
590 |a ProQuest Ebook Central  |b Ebook Central Academic Complete 
650 0 |a Semiconductors  |x Materials. 
650 0 |a Epitaxy. 
650 6 |a Semi-conducteurs  |x Matériaux. 
650 6 |a Épitaxie. 
650 7 |a Epitaxy  |2 fast 
650 7 |a Semiconductors  |x Materials  |2 fast 
710 2 |a Semiconductor Materials Division.  |b Department of Physics, Chemistry, and Biology.  |b Linköping University,  |e issuing body. 
758 |i has work:  |a MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures (Text)  |1 https://id.oclc.org/worldcat/entity/E39PD3XCPVJXgDvkK7kyHT4kKq  |4 https://id.oclc.org/worldcat/ontology/hasWork 
830 0 |a Linköping studies in science and technology.  |p Dissertations ;  |v no. 1662. 
856 4 0 |u https://ebookcentral.uam.elogim.com/lib/uam-ebooks/detail.action?docID=3328196  |z Texto completo 
936 |a BATCHLOAD 
938 |a EBL - Ebook Library  |b EBLB  |n EBL3328196 
938 |a ebrary  |b EBRY  |n ebr11049571 
994 |a 92  |b IZTAP