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MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Detalles Bibliográficos
Clasificación:Libro Electrónico
Autor principal: Chen, Jr-Tai (Autor)
Formato: Electrónico eBook
Idioma:Inglés
Publicado: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Colección:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; no. 1662.
Temas:
Acceso en línea:Texto completo
Descripción
Descripción Física:1 online resource (81 pages) : illustrations (some color)
Bibliografía:Includes bibliographical references.
ISBN:9789175190730
9175190737
ISSN:0345-7524 ;